Над разработкой нового чипа совместно трудились компании Toshiba и SanDisk. На площади кремниевого кристалла всего лишь в 170мм.кв. новинка может хранить до 128 миллиардов бит информации. В чипе применена структура MLC скомбинированная с технологией X3, которая позволяет считывать/записывать три бита информации из каждой ячейки памяти.
Технология 3X в совокупности с архитектурой All-Bit-Lane (ABL) дает новому чипу лидирующую в индустрии производительность – в 18MB/s. Модуль памяти на 128GB будет содержать лишь восемь 128Gb (16GB) чипов NAND-флэш, что позволит сделать модуль маленьким, быстрым и энергоэффективным для своего размера и емкости.
Также SanDisk анонсировала 19нм чип NAND-флэш памяти с емкостью в 64Gb (8GB). Данный чип совместим с форматом MicroSD. Поставки обоих чипов уже начались, тогда как их массовое производство должно начаться уже скоро.
К слову, компания Micron уже массово применяет 20нм технологический процесс при выпуске своих чипов NAND-флэш памяти. Так что возросшая конкуренция должна помочь снижению цен на новые чипы, что в свою очередь позволит дешевле их внедрять на следующие технологические гаджеты, вроде планшетов, смартфонов и SSD-накопителей.
Комментарии (0)