В 2009 году DDR3 память станет дешевле и быстрее

В этом месяце компании Samsung и Elpida запускают в массовое производство новые чипы памяти DDR3 DIMM, выполненные по технологии 50нм. Новые чипы будут характеризоваться повышенными скоростями и плотностями и в тоже время уменьшенными задержками, потреблением энергии и стоимостью.

22.01.2009 12:49

В этом месяце компании Samsung и Elpida запускают в массовое производство новые чипы памяти DDR3 DIMM, выполненные по технологии 50нм. Новые чипы будут характеризоваться повышенными скоростями и плотностями и в тоже время уменьшенными задержками, потреблением энергии и стоимостью.

Новый 50нм-ый процесс компании Elpida использует 193нм аргон-флюорид иммерсионную литографию (argon fluoride immersion lithography) в совокупности с медной технологией внутренних соединений, которая по сравнению со стандартными алюминиевыми связями обеспечивает 25% увеличение скорости. Кроме того, стандартный размер чипа, выполненного по новой технологии не будет превышать 40кв.мм, означая, что большее количество кристаллов будет произведено на одной кремниевой пластине, уменьшив при этом стоимость продукта. При этом пропускная способность новых чипов будет достигать 2.5Gb/s при стандартных 1.5V. Однако также может быть использовано и более низкое напряжение питания – 1.2V с пропускной способностью в 1.6Gb/s. Начальное производство будет с плотностью в 1Gb, что позволит применить новые модели памяти в области мобильных и серверных приложений.

Кстати говоря, благодаря последнему достижению Elpida скоро могут быть представлены новые модули памяти Corsair Dominator GT 2GHz CL7 DDR3 DIMM, которые уже в этом месяце могут быть запущены в производство.

Тем временем и другие крупнейшие мировые производители памяти не дремлют. Так, компания Samsung будет использовать свой собственный 50нм процесс для производства памяти 2Gb DDR3, производительность которой, как заявляется, будет на 60% выше их же эквивалентов DDR2. В текущем году этот процесс должен стать основной технологией производства DRAM у Samsung.

В свою очередь Qimonda еще в ноябре рассказала о своей технологии производства памяти 46нм DDR3 Buried Wordline. Массовое производство памяти по ней должно начаться в середине 2009 года.

Многие другие производители DDR3 памяти также ищут способы уменьшения геометрических размеров, пытаясь подготовиться к выпускам сокетов AMD AM3 и Intel Lynnfield, оба из которых будут использовать DDR3 и тем самым подстегнут рыночный спрос.

Тем временем цена DDR3 памяти к моменту выпуска Lynnfield в третьем квартале текущего года может снизиться со 100% до 10%! Кстати говоря, Intel недавно заявила, что на своих 32нм Westmere будет использовать исключительно DDR3. Все это, по данным исследовательской компании International Data Corporation уже в 2009 году позволит привести продажи DDR3 памяти к 29% от общего объема рынка DRAM. Еще больше продажи DDR3 возрастут в 2011 году и составят 72% рынка.

Вы спросите, что будет с DDR2? Вследствие огромного количества этих чипов у производителей почти нет планов на переход их на 50нм технологию. Более того, компании планируют перевести их производства на 65нм и 70нм оборудование, которое в настоящее время используется для DDR3.

Теги:  Qimonda   Samsung   Corsair   Elpida
Оцените материал:  
(Голосов: 1, Рейтинг: 3.3)

Каждый вечер мы будем присылать вам одно письмо со всеми опубликованными за день материалами. Нет материалов - нет писем, просто и удобно (другие варианты).

Материалы по теме


Комментарии (0)